ON Semiconductor NGTG35N65FL2WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 35A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

300W

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

300W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

70A

接通时间

108 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

231 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

125nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

72ns/132ns

开关能量

840μJ (on), 280μJ (off)

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅