ON Semiconductor NJD1718T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.68W

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.68W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 1A

转换频率

80MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

80MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅