ON Semiconductor NSS35200CF8T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-35V

最大功率耗散

635mW

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

额定电流

-2A

频率

100MHz

基本部件号

NSS35200

引脚数量

8

元素配置

Single

功率耗散

13.5W

功率 - 最大

635mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1.5A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 20mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

35V

集电极基极电压(VCBO)

55V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅