ON Semiconductor NTGD3148NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12.8 ns

操作温度

-50°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NTGD3148N

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.8nC @ 4.5V

上升时间

11.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

1.6 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅