ON Semiconductor NTHD4502NT1G

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)

表面安装

YES

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

安装类型

表面贴装

引脚数

8

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

14.9 ns

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A

已出版

2005

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

80MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

640mW

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTHD4502N

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.13W

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 10V

上升时间

5.4ns

下降时间（典型值）

5.4 ns

连续放电电流(ID)

3.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

宽度

1.7mm

长度

3.1mm

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅