ON Semiconductor NTJD1155LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

工厂交货时间

15 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

130mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

400mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

630mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTJD1155

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

175m Ω @ 1.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

漏源电压 (Vdss)

8V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.3A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

1V

漏源击穿电压

-8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅