ON Semiconductor NTJD4001NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

94 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

1Ohm

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

272mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

250mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

272mW

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

33pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.3nC @ 5V

上升时间

23ns

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

250mA

阈值电压

1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

栅源电压

1.2 V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅