ON Semiconductor NTLJD3119CTBG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A 2.3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

µCool™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

710mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTLJD3119C

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

710mW

接通延迟时间

5.2 ns

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 3.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

271pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.7nC @ 4.5V

上升时间

13.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

13.2 ns

连续放电电流(ID)

4.6A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

700 mV

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅