ON Semiconductor NTLTD7900ZR2G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

1.87 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

防静电

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

1.5W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTLTD7900Z

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 6.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

上升时间

1.17ns

下降时间（典型值）

1.17 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅