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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.919793
10
¥4.641315
100
¥4.378598
500
¥4.130753
1000
¥3.896937
ON Semiconductor NTLUD3A50PZTAG
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- 对比
NTLUD3A50PZTAG
1807-NTLUD3A50PZTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTLUD3A50PZTAG详情
ON Semiconductor NTLUD3A50PZTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
39 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
500mW
引脚数量
6
元素配置
Dual
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
920pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.4nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
2.8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.4A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
500μm
长度
2mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTLUD3A50PZTAG拓展信息







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