ON Semiconductor NTMD3P03R2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.34A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

85MOhm

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

-3.05A

基本部件号

NTMD3P03

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

16 ns

功率 - 最大

730mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

-3.05A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-1.7 V

反馈上限-最大值 (Crss)

135 pF

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅