ON Semiconductor NTMD6N02R2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

45 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.92A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

35MOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTMD6N02

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

12 ns

功率 - 最大

730mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

上升时间

50ns

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

360 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

900 mV

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅