ON Semiconductor NTMFD4901NFT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

9 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.3A 17.9A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.2W

终端形式

FLAT

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

1.1W 1.2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual), Schottky

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1150pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.7nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

17.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.01Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅