NTND31015NZTAG
NTND31015NZTAG

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ON Semiconductor NTND31015NZTAG

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型号

NTND31015NZTAG

utmel 编号

1807-NTND31015NZTAG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-XFLGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M

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NTND31015NZTAG
NTND31015NZTAG ON Semiconductor MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M

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NTND31015NZTAG详情

ON Semiconductor NTND31015NZTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-XFLGA

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 最大功率耗散

    125mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率 - 最大

    125mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.5 Ω @ 100mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    12.3pF @ 15V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.2A

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NTND31015NZTAG相似的参数规格。

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NTND31015NZTAG拓展信息

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FDC6303N
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