ON Semiconductor NTZD3155CT1H

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

质量

8.193012mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

540mA 430mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

250mW

终端形式

FLAT

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 540mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

430mA

栅极至源极电压(Vgs)

6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.54A

漏极-源极导通最大电阻

0.55Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准