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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.797907
10
¥13.016892
100
¥12.28009
500
¥11.584991
1000
¥10.929231
ON Semiconductor NVMD6N04R2G
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- 对比
NVMD6N04R2G
1807-NVMD6N04R2G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET
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NVMD6N04R2G详情
ON Semiconductor NVMD6N04R2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
工厂交货时间
38 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1.29W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
元素配置
Dual
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
34m Ω @ 5.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 32V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
连续放电电流(ID)
4.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMD6N04R2G拓展信息








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