NXH80T120L2Q0PG
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ON Semiconductor NXH80T120L2Q0PG

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型号

NXH80T120L2Q0PG

utmel 编号

1807-NXH80T120L2Q0PG

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Integrated Module, IGBT, T-Type, 1200 V, 80 A, 24-BTRAY

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NXH80T120L2Q0PG
NXH80T120L2Q0PG ON Semiconductor Power Integrated Module, IGBT, T-Type, 1200 V, 80 A, 24-BTRAY

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NXH80T120L2Q0PG详情

ON Semiconductor NXH80T120L2Q0PG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    43 Weeks, 1 Day

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    ,

  • Manufacturer Package Code

    180AA

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NXH80T120L2Q0PG

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.61

  • 无铅代码

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 最大耗散功率(Abs)

    146 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    65 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.8 V

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor NXH80T120L2Q0PG.

NXH80T120L2Q0PG拓展信息

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