SMMBTH10-4LT3G
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ON Semiconductor SMMBTH10-4LT3G

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型号

SMMBTH10-4LT3G

utmel 编号

1807-SMMBTH10-4LT3G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R

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SMMBTH10-4LT3G
SMMBTH10-4LT3G ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R

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SMMBTH10-4LT3G详情

ON Semiconductor SMMBTH10-4LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    25V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    225mW

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    Single

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    25V

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    120 @ 4mA 10V

  • 转换频率

    800MHz

  • 频率转换

    800MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor SMMBTH10-4LT3G.

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SMMBTH10-4LT3G拓展信息

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