ON Semiconductor SS9018GBU

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

28

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

已出版

2002

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

400mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

50mA

频率

1.1GHz

元素配置

Single

功率耗散

400mW

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

72 @ 1mA 5V

转换频率

1100MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

50mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅