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技术文档
型号
QPD1000SR
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-QPD1000SR
商品类别
晶体管 - JFET
封装
QFN-8
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors .03-1.215GHz,15W,28V GaN RF I/P-Mtchd T
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QPD1000SR详情
技术参数
Qorvo QPD1000SR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
3 A
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
32.4 W
Mounting Styles
SMD/SMT
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
100
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 7 V, + 2 V
Part # Aliases
QPD1000 1131140
包装
Reel
系列
QPD1000
应用
Military Radar, Jammers
工作频率
30 MHz to 1.215 GHz
配置
Single
输出功率
24 W
晶体管类型
HEMT
增益
19 dB
QPD1000SR拓展信息
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公司资质
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型号:TGF2929-HM
封装:NI-360
品牌:Qorvo
库存:0
型号:TGF2023-2-20
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型号:TGF2819-FS
型号:QPD1003
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