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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2303.004577
10
¥2172.645827
100
¥2049.665878
500
¥1933.647052
1000
¥1824.195332
QPD1008详情
Qorvo QPD1008重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
NI-360
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
50 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
145 V
Id - Continuous Drain Current
4 A
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
127 W
Mounting Styles
SMD/SMT
Development Kit
QPD1008PCB401
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
25
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.8 V
Unit Weight
0.566059 oz
RoHS
Details
包装
Tray
系列
QPD1008
工作频率
3.2 GHz
配置
Single
输出功率
162 W
晶体管类型
HEMT
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
增益
17.5 dB
QPD1008拓展信息
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo







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