QPD1006
QPD1006

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Qorvo QPD1006

  • 收藏
  • 对比

型号

QPD1006

品牌

Qorvo

utmel 编号

1980-QPD1006

商品类别

晶体管 - JFET

封装

NI-50CW

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF JFET Transistors 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
QPD1006
QPD1006 Qorvo RF JFET Transistors 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

QPD1006详情

Qorvo QPD1006重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    NI-50CW

  • RoHS

    Details

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Id - Continuous Drain Current

    14 A

  • Maximum Drain Gate Voltage

    145 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Pd - Power Dissipation

    445 W

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Development Kit

    QPD1006EVB3

  • Moisture Sensitive

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    36

  • 系列

    QPD1006

  • 应用

    民用和军用雷达

  • 工作频率

    1.2 GHz to 1.4 GHz

  • 配置

    Single

  • 输出功率

    450 W

  • 晶体管类型

    HEMT

  • 增益

    17.8 dB

0个相似型号

QPD1006拓展信息

TGF2819-FL
TGF2979-SM
QPD1000
QPD1000

Qorvo

QPD1015L
QPD1015L

Qorvo

TGF3015-SM
TGF2978-SM
QPD1013SR
QPD1013SR

Qorvo

QPD1011SR
QPD1011SR

Qorvo

QPD1025L
QPD1025L

Qorvo

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z