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技术文档
型号
QPD1006
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-QPD1006
商品类别
晶体管 - JFET
封装
NI-50CW
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET
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QPD1006详情
技术参数
Qorvo QPD1006重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Id - Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Gate Voltage
145 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
445 W
Mounting Styles
SMD/SMT
Development Kit
QPD1006EVB3
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
系列
应用
民用和军用雷达
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
配置
Single
输出功率
450 W
晶体管类型
HEMT
增益
17.8 dB
QPD1006拓展信息
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公司资质
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型号:TGF2929-HM
封装:NI-360
品牌:Qorvo
库存:0
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