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技术文档
型号
QPD1015
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-QPD1015
商品类别
晶体管 - JFET
封装
NI-360
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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QPD1015详情
技术参数
Qorvo QPD1015重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
包装/外壳
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
50 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
145 V
Id - Continuous Drain Current
2.5 A
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
64 W
Mounting Styles
SMD/SMT
Development Kit
QPD1015PCB401
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
25
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.8 V
包装
Tray
系列
工作频率
3.7 GHz
配置
Single
输出功率
70 W
晶体管类型
HEMT
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
增益
20 dB
QPD1015拓展信息
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QPD1015零件
公司资质
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型号：TGF2929-HM
封装：NI-360
品牌：Qorvo
库存：0
型号：TGF2023-2-20
封装：Die
型号：TGF2819-FS
型号：QPD1003
封装：RF-565
型号：T2G6003028-FL
封装：NI-200
型号：QPD1009
封装：QFN-16
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