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技术文档
型号
QPD1016L
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-QPD1016L
商品类别
晶体管 - JFET
封装
NI-780
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
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QPD1016L详情
技术参数
Qorvo QPD1016L重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
包装/外壳
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
25
RoHS
Details
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
-
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Id - Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Gate Voltage
50 V
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Pd - Power Dissipation
714 W
Mounting Styles
法兰安装
Moisture Sensitive
有
系列
工作频率
DC to 1.7 GHz
输出功率
537 W
晶体管类型
JFET
增益
18 dB
QPD1016L拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：TGF2929-HM
封装：NI-360
品牌：Qorvo
库存：0
型号：TGF2023-2-20
封装：Die
型号：TGF2819-FS
型号：QPD1003
封装：RF-565
型号：T2G6003028-FL
封装：NI-200
型号：QPD1009
封装：QFN-16
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