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技术文档
型号
QPD1017
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-QPD1017
商品类别
晶体管 - JFET
封装
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors 3.1-3.5 GHz,450W,50V GaN RF IMFET
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QPD1017详情
技术参数
Qorvo QPD1017重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Shipping Restrictions
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RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
511 W
Mounting Styles
SMD/SMT
Id - Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Gate Voltage
55 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Development Kit
QPD1017PCB4B01
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
18
系列
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
配置
Single
输出功率
460 W
晶体管类型
HEMT
增益
15.7 dB
QPD1017拓展信息
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公司资质
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型号:TGF2929-HM
封装:NI-360
品牌:Qorvo
库存:0
型号:TGF2023-2-20
封装:Die
型号:TGF2819-FS
型号:QPD1003
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