T1G4020036-FL详情
Qorvo T1G4020036-FL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
NI-650
Shipping Restrictions
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RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
25
Part # Aliases
T1G4020036 1110866
Unit Weight
0.853044 oz
包装
Tray
系列
T1G4020036
类型
GaN SiC HEMT
工作频率
3.5 GHz
输出功率
260 W
晶体管类型
HEMT
增益
16 dB
T1G4020036-FL拓展信息
Qorvo
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