注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
T1G4020036-FL
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-T1G4020036-FL
商品类别
晶体管 - JFET
封装
NI-650
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
起订量
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
T1G4020036-FL详情
技术参数
Qorvo T1G4020036-FL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
包装/外壳
Shipping Restrictions
This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
25
Part # Aliases
T1G4020036 1110866
Unit Weight
0.853044 oz
包装
Tray
系列
T1G4020036
类型
GaN SiC HEMT
工作频率
3.5 GHz
输出功率
260 W
晶体管类型
HEMT
增益
16 dB
T1G4020036-FL拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
T1G4020036-FL零件
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：TGF2929-HM
封装：NI-360
品牌：Qorvo
库存：0
型号：TGF2023-2-20
封装：Die
型号：TGF2819-FS
型号：QPD1003
封装：RF-565
型号：T2G6003028-FL
封装：NI-200
型号：QPD1009
封装：QFN-16
购物车 (0件产品)
购物车
询价列表
对比列表
微信咨询
QQ咨询
公众号
建议反馈
哦! 它是空的。
我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
在线咨询
