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技术文档

Qorvo TGF2979-SM

Name: TGF2979-SM
Brand: Qorvo
SKU: 1980-TGF2979-SM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

TGF2979-SM

品牌

utmel 编号

1980-TGF2979-SM

商品类别

晶体管 - JFET

封装

QFN-20

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB

起订量

1最小包装量--

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TGF2979-SM Qorvo RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB

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TGF2979-SM详情

技术参数

Qorvo TGF2979-SM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

QFN-20
Shipping Restrictions

This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS

Details
Transistor Polarity

N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

32 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

- 2.7 V
Id - Continuous Drain Current

1.8 A
Maximum Operating Temperature

+ 225 C
Pd - Power Dissipation

49 W
Mounting Styles

SMD/SMT
Development Kit

TGF2979-SMEVB1
Moisture Sensitive

有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50
Part # Aliases

TGF2979 1127378
Unit Weight

0.004339 oz
包装

Tray
系列

TGF2979
类型

GaN SiC HEMT
工作频率

DC to 12 GHz
配置

Single
通道数量

1 Channel
输出功率

22 W
晶体管类型

HEMT
增益

11 dB
产品

射频JFET晶体管
高度

0.203 mm
长度

4 mm
宽度

3 mm

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TGF2979-SM拓展信息

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