RXH090N03TB1
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Rohm RXH090N03TB1

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型号

RXH090N03TB1

品牌

Rohm

utmel 编号

2078-RXH090N03TB1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOP-8

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor,

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RXH090N03TB1
RXH090N03TB1 Rohm Power Field-Effect Transistor,

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RXH090N03TB1详情

Rohm RXH090N03TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    SOP-8

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    8-SOP

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    30 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    8 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    2.5 V

  • Pd - Power Dissipation

    2 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 20 V, + 20 V

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2500

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Brand

    ROHM 半导体

  • Id - Continuous Drain Current

    9 A

  • Typical Turn-Off Delay Time

    30 ns

  • RoHS

    Details

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    17 mOhms

  • Qg - Gate Charge

    6.8 nC

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    9A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V, 10V

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    2W (Ta)

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    MouseReel

  • 操作温度

    150°C

  • 系列

    -

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    17mOhm @ 9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    440 pF @ 10 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.8 nC @ 5 V

  • 上升时间

    30 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    MOSFET

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RXH090N03TB1拓展信息

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