RTR030N05TL
RTR030N05TL

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ROHM Semiconductor RTR030N05TL

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型号

RTR030N05TL

utmel 编号

2078-RTR030N05TL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-96

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3

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RTR030N05TL
RTR030N05TL ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3

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RTR030N05TL详情

ROHM Semiconductor RTR030N05TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    21 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-96

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1W Ta

  • Turn Off Delay Time

    34 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1W

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    67m Ω @ 3A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    510pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.2nC @ 4.5V

  • 上升时间

    19ns

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    26 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.095Ohm

  • 漏源击穿电压

    45V

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    1.6mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RTR030N05TL相似的参数规格。

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RTR030N05TL拓展信息

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