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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.639245
10
¥1.546457
100
¥1.458922
500
¥1.376341
1000
¥1.298435
ROHM Semiconductor RTR030N05TL
- 收藏
- 对比
RTR030N05TL
2078-RTR030N05TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
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MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RTR030N05TL详情
ROHM Semiconductor RTR030N05TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
21 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
510pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.2nC @ 4.5V
上升时间
19ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
26 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.095Ohm
漏源击穿电压
45V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RTR030N05TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm









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