RSM002N06T2L
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ROHM Semiconductor RSM002N06T2L

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型号

RSM002N06T2L

utmel 编号

2078-RSM002N06T2L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-723

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3

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RSM002N06T2L
RSM002N06T2L ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3

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RSM002N06T2L详情

ROHM Semiconductor RSM002N06T2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-723

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    250mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    150mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    18 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn/Cu)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    3.5 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.4 Ω @ 250mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    15pF @ 25V

  • 上升时间

    5ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    28 ns

  • 连续放电电流(ID)

    250mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.25A

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor RSM002N06T2L.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RSM002N06T2L相似的参数规格。

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RSM002N06T2L拓展信息

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