Rohm SP8M4TB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

底架

表面贴装

引脚数

8

供应商器件包装

8-SOP

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SP8M4

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A, 7A

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

110 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

10 ns, 20 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

N-Channel, P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.002926 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Qg - Gate Charge

15 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

18 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

55 ns, 110 ns

Id - Continuous Drain Current

9 A, 7 A

操作温度

150°C

系列

-

包装

切割胶带

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

9 A

配置

-

通道数量

2 Channel

功率耗散

2 W

功率 - 最大

2W (Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 5V

上升时间

50 ns

漏源电压 (Vdss)

30V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel, 1 P-Channel

连续放电电流(ID)

7 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

30 V

场效应管特性

Standard

漏源电阻

18 mΩ

产品类别

MOSFET

宽度

4.4 mm

高度

1.5 mm

长度

5 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅