ROHM Semiconductor BSM080D12P2C008

工厂交货时间

25 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

引脚数

10

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Number of Elements

2

操作温度

175°C TJ

包装

Tray

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

600W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X8

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 13.2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

连续放电电流(ID)

80A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

1200V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)

RoHS状态

ROHS3 Compliant