ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
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BSM180C12P2E202
2078-BSM180C12P2E202
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
Module
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BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
--最小包装量--
BSM180C12P2E202详情
ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
204A Tc
Power Dissipation (Max)
1360W Tc
操作温度
175°C TJ
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35.2mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20000pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+22V, -6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM180C12P2E202拓展信息
ROHM Semiconductor
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