ROHM Semiconductor BSM400D12P2G003
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BSM400D12P2G003
2078-BSM400D12P2G003
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
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SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
--最小包装量--
BSM400D12P2G003详情
ROHM Semiconductor BSM400D12P2G003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
包装/外壳
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
400A Tc
操作温度
-40°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率 - 最大
2450W Tc
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 85mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
38000pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSM400D12P2G003拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
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