BSM400D12P2G003
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ROHM Semiconductor BSM400D12P2G003

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型号

BSM400D12P2G003

utmel 编号

2078-BSM400D12P2G003

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SILICON CARBIDE POWER MODULE. B

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BSM400D12P2G003
BSM400D12P2G003 ROHM Semiconductor SILICON CARBIDE POWER MODULE. B

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BSM400D12P2G003详情

ROHM Semiconductor BSM400D12P2G003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 包装/外壳

    Module

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    400A Tc

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 功率 - 最大

    2450W Tc

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 85mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    38000pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V 1.2kV

  • 场效应管特性

    Silicon Carbide (SiC)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor BSM400D12P2G003.

BSM400D12P2G003拓展信息

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2SK3018FPDT106
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