ROHM Semiconductor BSS84T116

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

230mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.3 Ω @ 230mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

34pF @ 30V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.23A

漏极-源极导通最大电阻

6.4Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V