ROHM Semiconductor MP6K11TCR
- 收藏
- 对比
MP6K11TCR
2078-MP6K11TCR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6
1最小包装量--
MP6K11TCR详情
ROHM Semiconductor MP6K11TCR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最大功率耗散
2W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*K11
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
98m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
85pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.9nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
3.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.14Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12A
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MP6K11TCR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。