ROHM Semiconductor MP6K12TCR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

基本部件号

*K12

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

42m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

5A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.063Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant