ROHM Semiconductor MP6K31TR
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MP6K31TR
2078-MP6K31TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
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MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
--最小包装量--
MP6K31TR详情
ROHM Semiconductor MP6K31TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最大功率耗散
2W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*K31
引脚数量
6
资历状况
不合格
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
290m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
110pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
2A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏极-源极导通最大电阻
0.35Ohm
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MP6K31TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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