QS5U34TR
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ROHM Semiconductor QS5U34TR

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型号

QS5U34TR

utmel 编号

2078-QS5U34TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-5

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5

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QS5U34TR
QS5U34TR ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5

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QS5U34TR详情

ROHM Semiconductor QS5U34TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-5

  • 引脚数

    6

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    310MOhm

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    900mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    5

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G5

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    700mW

  • 接通延迟时间

    5 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    5ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 输入电容

    110pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    130mOhm

  • 最大rds

    180 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor QS5U34TR.

QS5U34TR拓展信息

RU1J002YNTCL
RU1J002YNTCL

ROHM Semiconductor

RTR030N05TL
RTR030N05TL

ROHM Semiconductor

RZM002P02T2L
RZM002P02T2L

ROHM Semiconductor

RYC002N05T316
RYC002N05T316

ROHM Semiconductor

RSD140P06TL
RSD140P06TL

ROHM Semiconductor

RRR040P03TL
RRR040P03TL

ROHM Semiconductor

RJP020N06T100
RJP020N06T100

ROHM Semiconductor

RSM002N06T2L
RSM002N06T2L

ROHM Semiconductor

RS1G180MNTB
RS1G180MNTB

ROHM Semiconductor

RVQ040N05TR
RVQ040N05TR

ROHM Semiconductor

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