ROHM Semiconductor R6004JND3TL1

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.43 Ω @ 2A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

7V @ 450μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

260pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.5nC @ 15V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

52 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant