R6009RND3TL1
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ROHM Semiconductor R6009RND3TL1

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型号

R6009RND3TL1

utmel 编号

2078-R6009RND3TL1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I

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R6009RND3TL1
R6009RND3TL1 ROHM Semiconductor 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I

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R6009RND3TL1详情

ROHM Semiconductor R6009RND3TL1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Base Product Number

    R6009

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    9A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    15V

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    125W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    665mOhm @ 4.5A, 15V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    7V @ 5.5mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    640 pF @ 100 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22 nC @ 15 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 场效应管特性

    -

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R6009RND3TL1拓展信息

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