ROHM Semiconductor R6009RND3TL1
- 收藏
- 对比
R6009RND3TL1
2078-R6009RND3TL1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
--最小包装量--
R6009RND3TL1详情
ROHM Semiconductor R6009RND3TL1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
TO-252
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
R6009
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
厂商
Rohm Semiconductor
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
665mOhm @ 4.5A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
7V @ 5.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
640 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22 nC @ 15 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±30V
场效应管特性
-
R6009RND3TL1拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。