ROHM Semiconductor R6030ENZM12C8
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R6030ENZM12C8
2078-R6030ENZM12C8
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-3P-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
1最小包装量--
R6030ENZM12C8详情
ROHM Semiconductor R6030ENZM12C8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
120W Tc
操作温度
150°C TJ
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 14.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.1nF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
85nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
R6030ENZM12C8拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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