ROHM Semiconductor R6076ENZ4C13

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

735W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

76A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

42m Ω @ 44.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

76A

漏极-源极导通最大电阻

0.042Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

228A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

1954 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant