ROHM Semiconductor RDN080N25FU6

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

35W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

unknown

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

500m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

543pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

8A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

250V

RoHS状态

ROHS3 Compliant