ROHM Semiconductor RDX045N60FU6

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1 Ω @ 2.25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

4.5A

漏源击穿电压

600V

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant