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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.772634
10
¥3.559093
100
¥3.357633
500
¥3.167576
1000
¥2.988281
ROHM Semiconductor RHK005N03FRAT146
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- 对比
RHK005N03FRAT146
2078-RHK005N03FRAT146
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RHK005N03FRAT146详情
ROHM Semiconductor RHK005N03FRAT146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
200mW Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
2.5V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.94Ohm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RHK005N03FRAT146拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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