RHK005N03FRAT146
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ROHM Semiconductor RHK005N03FRAT146

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型号

RHK005N03FRAT146

utmel 编号

2078-RHK005N03FRAT146

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU

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RHK005N03FRAT146
RHK005N03FRAT146 ROHM Semiconductor 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU

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RHK005N03FRAT146详情

ROHM Semiconductor RHK005N03FRAT146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    500mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    200mW Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    550m Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    45pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    500mA

  • 阈值电压

    2.5V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.94Ohm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor RHK005N03FRAT146.

RHK005N03FRAT146拓展信息

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