ROHM Semiconductor RP1E090XNTCR
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RP1E090XNTCR
2078-RP1E090XNTCR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
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MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
1最小包装量--
RP1E090XNTCR详情
ROHM Semiconductor RP1E090XNTCR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
供应商器件包装
MPT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
440pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.8nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
9A
输入电容
440pF
最大rds
17 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RP1E090XNTCR拓展信息
ROHM Semiconductor
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