注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.867037
10
¥0.817963
100
¥0.771663
500
¥0.72798
1000
¥0.686773
ROHM Semiconductor RQ5C060BCTCL
- 收藏
- 对比
RQ5C060BCTCL
2078-RQ5C060BCTCL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
立即发货

MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RQ5C060BCTCL详情
ROHM Semiconductor RQ5C060BCTCL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2017
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
21.1m Ω @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1360pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.0269Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RQ5C060BCTCL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






哦! 它是空的。